Ибадуллин, М. М.Пащенко, А. Г.2019-04-172019-04-172017Ибадуллин М. М. Сравнительный анализ зонных структур GaN и InN / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 25–27 квіт. 2017 р. – Харків, 2017. – С. 27.http://openarchive.nure.ua/handle/document/8389Among the complex semiconductor compounds the first place on the frequency of use in electronic devices occupy a double (binary) semiconductors connections of type of AIIIBV, which form the basis for optoelectronics and high-speed microwave – devices.ruзонная структураThesis