Ибадуллин, М. М.Пащенко, А. Г.2018-03-232018-03-232016Ибадуллин М. М. Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2016. – Вып. 184. – С. 170 – 177.http://openarchive.nure.ua/handle/document/4393Миниатюризация элементной базы твердотельной электроники постепенно подходит к своей природной границе. Перспективным способом решения этой проблемы является разработка элементной базы, компоненты которой работали бы благодаря, квантово – размерным эффектам.ruтвердотельная электроникарабочая частотапролетное время электронаВлияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристикуArticle