Яцун, К. С.2022-04-022022-04-022021Яцун К. С. Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду / К. С. Яцун // Радіотехніка : Всеукр. міжвід. наук.-техн. зб. – Харьків, 2021. – Вип. 205. – С. 108–112.https://openarchive.nure.ua/handle/document/20080У загальному випадку резонансно-тунельний діод являє собою періодичну структуру, яка складається з послідовно розташованих квантових колодязів, розділених потенційними бар'єрами, з електричними контактами до двох крайніх протилежних областейruрадиотехникарезонансно-тунельний діодМодифікація активної області резонансно-тунельного діодуArticle