Зуев, С. А.Старостенко, В. В.Терещенко, В. Ю.Чурюмов, Г. И.Шадрин, А. А.2021-07-042021-07-042004Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 2. Результаты моделирования / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко, Г. И. Чурюмов, А. А. Шадрин // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 4. – С. 31–33.https://openarchive.nure.ua/handle/document/16878Описываются результаты расчета входных и выходных статистических характеристик полупроводниковых приборов на основе Si.ruрадиотехникарадиоэлектроникаArticle