Технологічні методи керування структурою епітаксійних шарів і монокристалів GaAs - Лебедь, О. М. (My University, 2011)
Дисертація присвячена розробкам методів керування й підвищення однорідності розподілу структурних й електрофізичних параметрів монокристалів GaAs і ЕШ, вирощених методом РФЕ. Розглядаються температурно-часові характеристики процесу відпалу, їх зв'язок зі структурними, механічними й електрофізичними параметрами монокристалів НІН GaAs. Розглядається вплив часу ТО, а також часу охолодження на показники стабільності електрофізичних параметрів монокристалів з різною стехіометрією і структурою дислокацій. Методом дослідження профілів дифузії домішки встановлений вплив стехіометрії на електрофізичні властивості НІН GaAs. Розглянуто особливості одержання епітаксійних шарів арсеніду галію з розчину в розплаві вісмуту. Показано перспективність застосування ізовалентного розчинника для однорідного розподілу дислокацій і зменшення їхньої щільності в ЕШ. Запропоновані способи одержання p-n структур GaAs для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання й структур фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання методом РФЕ, при використанні ізовалентного металу-розчинника вісмуту з покращеними приладовими характеристиками. The dissertation is devoted workings out of management methods and increases of uniformity of distribution of structural and electrophysical parameters monocrystals GaAs and EL, which has been grown up by method LPE. Temperature-time characteristics of process of annealing, their correlation with structural, mechanical and electrophysical parameters of monocrystals SIU GaAs are considered. Influence time heat treatment and also time of cooling for indicators of stability of electrophysical parameters of monocrystals with various stoichiometry and structure of dislocation is considered. The method of research of profiles of diffusion of an impurity establishes influence stoichiometry on electrophysical properties SIU GaAs. Features of reception epitaxial layers of arsenide of gallium from a solution in melt bismuth are considered. Perspectivity of application of isovalency solvent for homogeneous distribution of dislocation and reduction of their density in EL is shown. Ways of reception p-n structures GaAs for light-emitting diodes of an infra-red range of radiation and structures photovoltaic detectors of a x-ray range of radiation are offered by method LPE at use of isovalency metal-solvent of bismuth with the improved instrument characteristics.
Keywords: арсенід галію; термообробка; рідкофазна епітаксія; вісмут; gallium arsenide; heat treatment; liquid phase epitaxy; bismuth