Мельник, С. И.Гордиенко, Ю. Е.Слипченко, Н. И.2016-06-222016-06-222010Мельник, С. И. Возможности проведения микроволновой сканирующей дефектометрии полупроводниковых материалов и структур / С. И. Мельник, Ю. Е. Гордиенко, Н. И. Слипченко // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 99-102.http://openarchive.nure.ua/handle/document/1110The problem of microwave scanning non-destructive testing semiconductors. We show that the defects can be represented by equivalent dipole sources of the field, distributed in their volume. On the basis of a given field, analytical expressions for the generalized parameters of the defect. It is shown that to determine the parameters of both local and distributed defects, it is enough to measure the additional insertion in the aperture equivalent capacitance sensor for two values of the gap between the sensor and the surface of the semiconductor. В современных технологиях производства электронных компонентов возникает потребность в измерении пространственного распределения электрофизических свойств полупроводниковых материалов и структур. В последнее время в связи с миниатюризацией электронных компонентов и устройств особые требования предъявляются как к точности измерения, так и к пространственной разрешающей способности контроля.ruполупроводниковые материалыпространственное разрешениекоаксиальный резонатормикроволновая сканирующая дефектометрияConference proceedings