Пащенко, А. Г.Ванцан, В. М.2021-06-302021-06-302002Пащенко А. Г. Изменение длины волны генерации квантоворазмерных светоизлучающих приборов под действием внешнего стационарного электрического поля / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2002. – Вып. 128. – С. 226–229.https://openarchive.nure.ua/handle/document/16723Приведены результаты расчетов изменения длины волны излучения квантоворазмерных светоизлучающих приборов на основе GaAs/AlxGabxAs под действием внешнего стационарного электрического поля. Расчеты проводились для квантоворазмерных структур (КРС) с различными геометрическими и энергетическими параметрами. Показано, что длина волны генерации наиболее стабильна в КРС с узкими квантовоограниченными слоями и высокими ограничивающими барьерамиruстационарное электрическое полеквантоворазмерный светоизлучающий приборArticle