Оксанич, А. П.Притчин, С. Э.Петренко, В. Р.Тербан, В. А.2016-05-302016-05-302012Метод и устройство измерения диаметра слитка GaAs в процессе выращивания методом с жидкостной герметизацией / А. П. Оксанич, С. Э. Притчин, В. Р. Петренко, В. А. Тербан // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 1. – С. 54–62.http://openarchive.nure.ua/handle/document/416Разработан метод измерения диаметра слитка GaAs, выращиваемого по методу с жидкостной герметизацией, который основан на измерении веса слитка, учитывающий погрешности канала измерения веса и погрешности преобразования. Разработано устройство, реализующее данный метод. Достигнутая абсолютная погрешность измерения для слитков диаметром 100 мм составила ± 1,5 мм. A method for measuring the diameter of an ingot of GaAs grown by LEC method based on measuring the weight of the ingot taking into account the errors of a weight measurement channel and conversion errors is developed. A device is developed which implements the method.The achieved absolute error of measurement for ingots of a 100 mm diameter has constituted ± 1,5 mm.ruметод Чохральского с жидкостной герметизациейарсенид галлияизмерение диаметраLiquid Encapsulated CzochralskiGaAsdiameter measurementArticle