Гулієва, Е. Г.2020-05-122020-05-122019Гулієва Е. Г. Формування енергетичних мінізон у багатошарових наноструктурах : атестаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / Е. Г. Гулієва ; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. – Харків, 2019. - 37 с.http://openarchive.nure.ua/handle/document/11692Об’єктом досліджень є багатошарова квантоворозмірна структура на основі GaAs/AlхGa1-хAs. Метою даної дипломної роботи є розгляд енергетичних станів частинок та квазічастинок, які знаходяться в трьохшаровій КРС, яка складається з трьох квантово обмежених областей, побудованих на основі GaAs та розмежованих двома квантово – обмеженими бар’єрними шарами на основі AlхGa1-хAs. Методом рішення є аналітичний підхід до рішення рівняння Шредингера, тобто розкладення рішення за власними функціями. В роботі розглянуті випадки коли трьохшарова КРС знаходиться в стаціонарному стані, і під дією зовнішнього сталого електричного поля. Розроблена методика розрахунку власного значення енергії, хвильової функції та густини розподілу ймовірності частинок для трьохшарової КРС на основі GaAs/AlхGa1-хAs з використанням математичного пакету Mathcad 2000 pro.ukструктура квантоворозмірнаелектронважка діркалегка діркаспектр енергетичнийфункція хвильовабар’єр потенційнийяма квантоваOther