Гаврішев, В. Р.2023-08-202023-08-202020Гаврішев В. Р. Вплив буферних шарів на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду : пояснювальна записка до атестаційної роботи здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / В. Р. Гаврішев ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків, 2020. – 47 с.https://openarchive.nure.ua/handle/document/23948Мета роботи – визначити як конструктивні параметри буферних шарів активної області впливають на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду. Метод дослідження – квантово-механічне моделювання процесу тунелювання носіїв електричного струму крізь активну область резонансно-тунельного діоду, за допомогою розв′язання стаціонарного рівняння Шредінгера. В результаті розгляду процесу тунелювання крізь резонансно-тунельну структуру визначено вплив товщини буферних шарів на співвідношення струму і напруги піка і струму і напруги долини N-подібної ділянки вольт-амперної характеристики резонансно-тунельного діоду.ukвалентна зонадіодзона провідностіквантова яманапруга зміщеннярезонансне тунелюванняхвильова функціяOther