Пащенко, А. Г.2019-10-012019-10-011999Пащенко А. Г. Энергетические состояния частиц и квазичастиц в активной области ИПЛ на КРС на основе InGaAs / InP / А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Х. : ХТУРЭ, 1999. – Вып. 111. – С. 26–29.http://openarchive.nure.ua/handle/document/9872В работе рассмотрено влияние геометрических параметров КРС на длину волны генерации инжекционного полупроводникового лазера на основе InGaAs/InP. На основании решения стационарного уравнения Шредингера с невозмущённым гамильтонианом для двухслойной КРС была получена зависимость длины волны излучения от ширины ям и барьера. Показано, что на этапе изготовления квантово-размерного лазера длиной волны излучения можно управлять в широких пределах, изменяя ширину разделительного баръера.ruполупроводниковый лазерразделительный баръерArticle