Энергетические состояния частиц и квазичастиц в активной области ИПЛ на КРС на основе InGaAs / InP - Пащенко, А. Г. (ХТУРЭ, 1999)
В работе рассмотрено влияние геометрических параметров КРС на длину волны генерации инжекционного полупроводникового лазера на основе InGaAs/InP. На основании решения стационарного уравнения Шредингера с невозмущённым гамильтонианом для двухслойной КРС была получена зависимость длины волны излучения от ширины ям и барьера. Показано, что на этапе изготовления квантово-размерного лазера длиной волны излучения можно управлять в широких пределах, изменяя ширину разделительного баръера.
Keywords: полупроводниковый лазер; разделительный баръер