Ануфрієв, В. В.2021-11-292021-11-292021Ануфрієв В. В. Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену / В. В. Ануфрієв, науковий керівник – доц. Глухов О. В. // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : матеріали 25-го Міжнар. молодіжн. форуму, 20-22 квітня 2021 р. – Харків : ХНУРЕ, 2021. – Т. 1. – С. 73–74.https://openarchive.nure.ua/handle/document/18515In a tunnelling transistor, unlike a conventional field-effect transistor the channel is controlled by the quantum tunnelling effect rather than by charge injection. The purpose of this article is to consider the design and features of a graphene-based tunnelling field-effect transistor.ukикористання тунельного контактутранзистор на основі графенуConference proceedings