Асанов, Э. Э.Зуев, С. А.Килесса, Г. В.Слипченко, Н. И.2016-05-262016-05-262012Использование параллельных вычислений на базе технологии CUDA при моделировании ПТШ / Э. Э. Асанов, С. А. Зуев и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 431–434.http://openarchive.nure.ua/handle/document/213В работе представлены основные теоретические положения, на основе которых построена реализация численной модели ПТШ на GaAs, проведены исследования характеристик ПТШ. Для увеличения производительности модели отдельные этапы вычисления проводились на GPU с использованием технологии NVIDIA CUDA. The basic theoretical provisions on the basis of which the Schottky GaAs FET numerical model has been constructed are presented. The researches of Schottky FET characteristics are carried out. To increase the productivity of the model separate calculation stages have been carried out on GPU with NVIDIA CUDA technology use.ruполевой транзистор с затвором Шотткимоделирование методом макрочастицпараллельные вычисления на базе CUDAfield-effect transistor with Schottky gatemodelling by macroparticles methodparallel calculations on the basis of CUDAArticle