Численное решение стационарных квантовомеханических скоростных уравнений для полупроводниковых инжекционных лазеров в приближении эффективной массы - Ванцан, В. М.; Пащенко, А. Г. (ХТУРЭ, 1997)
Как известно, в первых полупроводниковых лазерах на основе гомоструктур пороговая плотность тока быстро увеличивалась с ростом температуры. Это создавало серьезные трудности при реализации режима непрерывной генерации при температуре 300 К и выше, а также для получения высокоскоростной модуляции как малым, так и большим сигналом. Для определения порога генерации и характеристик полупроводникового лазера в большинстве случаев в качестве теоретической модели применяются классические скоростные уравнения, которые оказались наиболее эффективными.
Keywords: радиотехника; лазер