Модифікація активного шару фотоприймачів на основі багатошарових наноструктур - Ільченко, А. Д. (ХНУРЕ, 2022)
Об'єктом дослідження є енергетичні стани частинок і квазічастинок в тришаровій квантово-розмірній структурі, створеній на основі твердого розчину GaAs/AlxGa1-xAs, яка знаходиться у i області p-i-n фотодіоду. Метою даної кваліфікаційної роботи є дослідження залежності енергетичних характеристик коефіцієнту поглинання квантово-розмірного фотоприймача від інженерних параметрів квантово-розмірної структури. Методом досягнення є квантово-механічне моделювання енергетичних станів частинок і квазічастинок в активній області фотоприймача за допомогою розв’язання стаціонарного рівняння Шредінгера. За допомогою математичного пакету Mathcad, проведено дослідження впливу на коефіцієнт поглинання структурних параметрів активної області фотоприймача, створеного на основі багатошарової квантово-розмірної структури.
Keywords: фотоприймач; багатошарова наноструктура; активний шар фотоприймачів