Ільченко, А. Д.2023-05-122023-05-122022Ільченко А. Д. Модифікація активного шару фотоприймачів на основі багатошарових наноструктур : пояснювальна записка до атестаційної роботи здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 – Мікро- та наносистемна техніка / А. Д. Ільченко ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки – Харків, 2022. - 40 с.https://openarchive.nure.ua/handle/document/22904Об'єктом дослідження є енергетичні стани частинок і квазічастинок в тришаровій квантово-розмірній структурі, створеній на основі твердого розчину GaAs/AlxGa1-xAs, яка знаходиться у i області p-i-n фотодіоду. Метою даної кваліфікаційної роботи є дослідження залежності енергетичних характеристик коефіцієнту поглинання квантово-розмірного фотоприймача від інженерних параметрів квантово-розмірної структури. Методом досягнення є квантово-механічне моделювання енергетичних станів частинок і квазічастинок в активній області фотоприймача за допомогою розв’язання стаціонарного рівняння Шредінгера. За допомогою математичного пакету Mathcad, проведено дослідження впливу на коефіцієнт поглинання структурних параметрів активної області фотоприймача, створеного на основі багатошарової квантово-розмірної структури.ukфотоприймачбагатошарова наноструктураактивний шар фотоприймачівOther