Галат, А. Б.2018-04-032018-04-032015Галат А. Б. Расчет оптимальной структуры фотопреобразователя (p)-a-Si:H/(n)-c-Si с помощью аналитической модели / А. Б. Галат // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2015. – Вып. 180. – С. 19 – 24.http://openarchive.nure.ua/handle/document/4573Аналитическая модель гетероперехода (p)-a-Si:H/(n)-c-Si, основанная на диффузионном механизме переноса электронов и дырок, используется для расчета электрических характеристик при наличии солнечного освещения. Компьютерное моделирование выполнено для получения оптимальной структуры слоев перехода. Расчетные соотношения позволяют учесть влияние конструктивных и технологических факторов на вольтамперную характеристику и основные параметры фотопреобразователяruвольтамперная характеристикафотопреобразовательгетеропереход (p)-a-Si:H/(n)-c-SiArticle