Прокіпець, М. В.2024-02-292024-02-292023Прокіпець М. В. Резонансно-тунельний діод і прилади на його основі : кваліфікаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 171 Електроніка / М. В. Прокіпець ; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. - Харків, 2023. - 72 с.https://openarchive.nure.ua/handle/document/25853Прокіпець М. В. Резонансно-тунельний діод і прилади на його основі : кваліфікаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 171 Електроніка / М. В. Прокіпець ; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. - Харків, 2023. - 72 с.Об'єктом дослідження є багатошарова квантово-розмірна структура, створена на основі напівпровідникових з'єднань групи. Метою роботи є дослідження впливу структурних та електрофізичних параметрів активної області на ВАХ резонансно-тунельного діоду. Метод дослідження – квантово-механічне моделювання вольт-амперної характеристики резонансно-тунельного діоду з багатошаровою квантово-обмеженою активною областю. У роботі проведено огляд методів генерації електромагнітного випромінювання терагерцового діапазону за допомогою різних генераторних приладів. Показана можливість успішного застосування у якості генераторного приладу резонансно-тунельного діоду. Проведено математичне моделювання процесу перенесення заряду через багатошарову квантово-розмірну структуру.ukрезонансно-тунельний діодквантово-розмірна структуранапівпровідникові з'єднанняOther