Гордиенко, Ю. Е.Слипченко, Н. И.Полетаев, Д. А.Проказа, А. М.Пятайкина, М. И.2016-07-132016-07-132013Высоколокальная сканирующая модификация полупроводников и диэлектриков / Ю. Е. Гордиенко и др. // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 23-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2013), 8-13 сент. 2013 г. - Севастополь : Вебер, 2013. - Т. 2. - С. 726-727.http://openarchive.nure.ua/handle/document/1501Предложены принципы осуществления высоко-локального сканирующего СВЧ нагрева полупроводников и диэлектриков с целью их модификации в различных микротехнологиях, включая микроэлектронные. В первую очередь, такой подход может оказаться перспективным для локального перелегирования и термического окисления кремния, локальной ре- кристаллизации и отжига различных материа-лов, в том числе, в пленочном конструктиве. Проведены численные исследования пространственно-временного распределения температуры в объекте под ближнеполевым СВЧ высоколокальным зондом с коаксиальной апертурой. Установлены основные количествен-ные зависимости указанного распределения от электрофизических параметров полупровод-никового объекта и конструктива СВЧ зонда. The present paper concerns the implementation principles for high local scanning UHF heating of semiconductors and dielectrics with the purpose of their modification in various microtechnologies, including microelectronic technologies. Numerical investigations of spatiotemporal temperature distribution in the object under near-field UHF high local probe with coaxial aperture have been carried out. Basic quantitative dependencies of the above distribution upon electrophysical parameters of semiconductor object and UHF probe structural element have been determined.ruвысоколокальный сканирующий СВЧ нагревсканирующая модификация полупроводников и диэлектриковhigh local scanning UHF heatingConference proceedings