Пащенко, А. Г.Сологуб, О. Ю.Вербицкий, В. Г.2018-07-182018-07-182011Пащенко А. Г. Модель распределения электронных состояний для определения спектра оптического поглощения / А. Г. Пащенко, О. Ю. Сологуб, В. Г. Вербицкий // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., 30 сент. – 3 окт. 2011 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2011. – С. 82–85http://openarchive.nure.ua/handle/document/6605In this paper we investigate the possibility of an analytical approximation of the density of electronic states and optical absorption, which take into consideration for the main features of amorphous silicon and devices based on it. В настоящее время на основе аморфного кремния (a-Si) создано значительное число различных электронных приборов (солнечные элементы, транзисторы, фотодатчики и т.д.). При моделировании этих приборов очень важно знать функцию плотности электронных состояний, которая определяет оптические, электрические и фотоэлекрические свойства a-Si, а, значит, и параметры приборов. Функции плотности электронных состояний и связанные с ними функции оптического поглощения аморфного кремния, использующиеся в расчетах, недостаточно точно описывают экспериментальные данные. Поэтому актуальным все еще является аналитическое описание данных функций.ruConference proceedings