Старостенко, В. В.Грибский, М. П.Полетаев, Д. А.Таран, Е. П.Чурюмов, Г. И.2021-07-062021-07-062007Динамика электротепловых процессов в диэлектрических структурах микросхем при воздействии электромагнитных полей / В. В. Старостенко, М. П. Грибский, Д. А. Полетаев, Е. П. Таран, Г. И. Чурюмов // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2007. – Вып. 2. – С. 45–49.https://openarchive.nure.ua/handle/document/16914Строится численная модель развития электротепловых процессов в проводящих и диэлектрических микроструктурных элементах микросхем при воздействии СВЧ электромагнитных полей с учетом тепловых потерь в диэлектрических структурах. Описываются выражения для удельной мощности тепловых потерь в диэлектрических структурах микросхем. Выявляется динамика изменения температурного поля кристалла микросхемы с учетом неравномерного разогрева металлизации и диэлектрических участков.ruмодель развития электротепловых процессоврадиоэлектроникаArticle