Чернышов, Н. Н.Слипченко, Н. И.Небрат, В. В.Петулько, М. С.Алкхавалдех, М. А. Ф.2019-06-172019-06-172018Фотогальванический эффект в системах с пространственным ограничениями / Чернышов И.И., Слипченко Н. И., Небрат В.В., Петулько М.С., Алкхавалдеч М.А.Ф. // Радиоэлектроника и информатика : научно-технический журнал / М-во образования и науки Украины ХНУРЭ. – Харьков, 2018. – № 3. С.13--17http://openarchive.nure.ua/handle/document/9402Исследуется фотогальванический эффект в GaAs при оптических переходах между спиновыми зонами уровней Ландау для ультраквантового предела. Рассматривается геометрия, когда поляризация перпендикулярна, а ток направлен вдоль магнитного поля. Эффект обуславливается кубическими членами в гамильтониане, существующими из-за отсутствия центра инверсии.ruфотогальванический эффектоптические переходыспиновые зоныультраквантовый пределполяризацияэлектрическое полерезонансphotovoltaic effectoptical transitionsspins zonesultra quantum limitpolarizationelectric fieldresonanceArticle