Фотогальванический эффект в системах с пространственным ограничениями - Чернышов, Н. Н.; Слипченко, Н. И.; Небрат, В. В.; Петулько, М. С.; Алкхавалдех, М. А. Ф. (Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 2018)
Исследуется фотогальванический эффект в GaAs при оптических переходах между спиновыми зонами уровней Ландау для ультраквантового предела. Рассматривается геометрия, когда поляризация перпендикулярна, а ток направлен вдоль магнитного поля. Эффект обуславливается кубическими членами в гамильтониане, существующими из-за отсутствия центра инверсии.
Keywords: фотогальванический эффект; оптические переходы; спиновые зоны; ультраквантовый предел; поляризация; электрическое поле; резонанс; photovoltaic effect; optical transitions; spins zones; ultra quantum limit; polarization; electric field; resonance