Бабыченко, О. Ю.Пащенко, А. Г.2018-07-182018-07-182017Бабыченко О. Ю. Кинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностями / О. Ю. Бабыченко, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2017. – Вып. 190. – С. 36 – 43http://openarchive.nure.ua/handle/document/6608Теоретически исследовано влияние на фотопроводимость кристаллического кремния аморфных вкраплений цилиндрической формы при воздействии излучения из области фоточувствительности исследуемой структуры. Проанализирована фотопроводимость структуры в зависимости от геометрических размеров вкраплений, их расположения в структуре и скоростью поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Установлено, что при увеличении доли вкраплений в структуре процессы генерации неравновесных носителей заряда определяются, главным образом, аморфной матрицей. Выявлено возникновения при определенных условиях эффекта отрицательной фотопроводимости.ruфотопроводимость структурыфотопроводимость кристаллического кремнияаморфная матрицаКинетика фотопроводимости c-Si с аморфными неоднородностямиArticle