Пащенко, А. Г.Ванцан, В. М.2021-11-282021-11-281997Пащенко А. Г. Исследование стационарных энергетических состояний экситонов Ванье — Мотта в полупроводниковых инжекционных лазерах на основе квантоворазмерных структур / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1997. – Вып. 102. – С. 85–92.https://openarchive.nure.ua/handle/document/18465Влияние экситонов на физические процессы, протекающие в полупроводниковых лазерах, уже достаточно подробно рассмотрено. Установлено, что экситонные перехода могут служить каналом для накачки; экситонное поглощение и поглощение света экситонами могут давать существенный вклад в потери; связывание носителей в экситоны может затруднить генерацию на переходах с участием свободных носителей; возможна лазерная генерация на экситонных переходах.ruрадиотехникаэкситонArticle