Быков, М. А.Слипченко, Н. И.Зуев, С. А.2016-07-072016-07-072010Быков, М .А. Модель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремний / М. А. Быков, Н. И. Слипченко, С. А. Зуев // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 245-247http://openarchive.nure.ua/handle/document/1374n this paper the results of numerical researches of carrier’s transitions processes in structures on the heterojunction amorphous - monocrystalline silicon are presented and analyzed. В настоящее время большое внимание уделяется способам получения энергии, поступающей от Солнца, путем фотопреобразования. Существенным фактором, ограничивающим возможности получения энергии данного типа, является высокая стоимость технологического процесса и экологическая проблема при производстве преобразователей с высокой эффективностью фотопреобразования.ruфотопреобразованиемонокристаллический кремнийМодель токопереноса в гетероструктуре аморфный - монокристаллический кремнийConference proceedings