Мачехин, Ю. П.Медведенко, О. А.2016-06-162016-06-162010Мачехин Ю. П. Формирование спектра излучения твердотельных чип лазеров с полупроводниковой накачкой / Ю. П. Мачехин, О. А. Медведенко // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2010. – Т. 9, № 4 – С. 547–563.http://openarchive.nure.ua/handle/document/990В работе представлены результаты исследований особенностей формирования спектра излучения твердотельного чип лазера. Рассмотрены условия формирования полем накачки режима одномодовой генерации. Показано, что, используя селектор Фокса — Смита, можно реализовать условия генерации одночастотного излучения. Показано, что добиться требуемой девиации оптической частоты для ее стабилизации по пикам насыщенного поглощения в йоде, можно с помощью модуляции интенсивности излучения накачки.ruтвердотельный лазерполупроводниковая накачкаспектр излучениястандарт частотыФормирование спектра излучения твердотельных чип лазеров с полупроводниковой накачкойArticle