Пащенко, А. Г.2021-11-202021-11-201998Пащенко А. Г. Влияние генерации и рекомбинации экситонов на статические характеристики инжекционных лазеров / А. Г. Пащенко // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1998. – Вып. 105. – С. 166–169.https://openarchive.nure.ua/handle/document/18257Рассмотрен вклад экситонов Ванье—Мотта в физические процессы в инжекционных полупроводниковых лазерах на квантоворазмерных структурах на основе ОаАв/А^ОаьхАз. Описан подход к решению системы скоростных уравнений с учетом генерации и аннигиляции электронно-дырочных пар. Получены зависимости плотности генерируемых фотонов, а также неравновесных электронов и экситонов, образующихся в результате связывания свободных носителей, от плотности тока накачки в допороговой, пороговой и вышепороговой областяхruрадиотехникаполупроводниковый лазерArticle