Галат, А. Б.2018-07-242018-07-242013Галат А. Б. Аналитическая модель гетероперехода a-Si:h/c-Si солнечного элемента / А. Б. Галат // 6-я Международная научная конференция «Функциональная база наноэлектроники». Сб. науч. трудов. – Харьков: ХНУРЭ, 2013. – С.241–244.http://openarchive.nure.ua/handle/document/6644The given work is devoted to investigation and research of analytical model of a-Si:H/c-Si heterojunction, used in solar cells. The model based on diffusion electron/hole motion mechanism. The analytical expressions of voltage-current characteristics are presented. Computer simulations have been carried out in order to attempt the optimal configuration of layer structure. The influence of doping concentrations level of both a-Si:H and c-Si layer on the current density is also calculated.ruфотопреобразовательаналитическая модельгетеропереходThesis