Зуев, С. А.Старостенко, В. В.Терещенко, В. Ю.Чурюмов, Г. И.Шадрин, А. А.2021-06-062021-06-062004Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 1. Математическая модель / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко, Г. И. Чурюмов, А. А. Шадрин // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 3. – С. 47–53.https://openarchive.nure.ua/handle/document/16372Предлагается модель кремниевого полевого транзистора с затвором Шоттки субмикронных размеров с учетом процессов переноса и локализации тепла в приборе.ruзатвор Шотткилокализация тепла в прибореМодель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 1. Математическая модельArticle