Гордиенко, Ю. Е.Пятайкина, М. И.Ларкин, С. Ю.Полищук, А. В.Проказа, А. М.Слипченко, Н. И.2019-05-312019-05-312013Численное моделирование высоколокального СВЧ теплового воздействия в технологии модификации полупроводниковых тонкопленочных структур / Ю. Е. Гордиенко, М. И. Пятайкина, С. Ю. Ларкин и др. // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2013. – № 4. – С. 8-13.http://openarchive.nure.ua/handle/document/9074Исследуются особенности применения микроволнового излучения как средства высоколокального нагрева, отжига и перелегирования полупроводниковых слоистых структур при помощи ближнеполевых СВЧ излучателей с микроразмерной апертурой. Предлагается вариант такого модификатора на основе конусного коаксиального волновода. Основное внимание уделяется локализации тепловыделения и специфике пространственно-временного распределения температуры в зависимости от электрических и тепловых параметров объектов исследования. Показывается, что при определенном соотношении параметров пленки и подложки возможно также осуществить геттерирование дефектов из подложки.ruвысоколокальный СВЧ нагревмодификацияСВЧ микроскопияЧисленное моделирование высоколокального СВЧ теплового воздействия в технологии модификации полупроводниковых тонкопленочных структурArticle