Быков, М. А.Быков, А. М.Зуев, С. А.Мазинов, А. С.Слипченко, Н. И.Унжаков, Д. А.2018-06-062018-06-062008Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре a-Si:H/c-Si / М. А. Быков, А. М. Быков, С. А. Зуев, А. С. Мазинов, Н. И. Слипченко, Д. А. Унжаков // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2008. – Т. 7, № 1 – С. 71–76.http://openarchive.nure.ua/handle/document/5865В работе приводятся и анализируются результаты численных исследований процессов токопереноса в структурах на основе гетероперехода аморфный — кристаллический кремний. Results of computational investigation of charge transport processes are adduced and parsed in the structures on the basis of heterogeneous junction amorphous — crystalline silicon.ruArticle