Галат, А. Б.Донченко, А. Л.2019-11-152019-11-152018Галат А. Б. Структура резко асимметричного p-n-перехода с учетом заряда подвижных носителей / А. Б. Галат, А. Л. Донченко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – Харьков, 2018. – Вып. 192. – С. 113 – 118.http://openarchive.nure.ua/handle/document/10229Данная работа выполнена в контексте уточнения аналитической оценки тока рекомбинации в части обоснования границ применимости модели Шоттки и расширения области применения модели Шоттки при расчете токов рекомбинации в области пространственного заряда резко асимметричного полупроводникового перехода.ruток рекомбинациимодель Шотткирезко асимметричный полупроводниковый переходArticle