Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц - Асанов, Э. Э.; Килесса, Г. В.; Зуев, С. А.; Слипченко, Н. И. (Вебер, 2012)
В работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели.
Keywords: контакт металл-полупроводник; омический контакт; субмикронные полупроводниковые приборы; полевые транзисторы с затвором Шоттки