Асанов, Э. Э.Килесса, Г. В.Зуев, С. А.Слипченко, Н. И.2016-07-142016-07-142012Асанов, Э. Э. Модель омического контакта ПТШ с использованием метода крупных частиц / Э. Э. Асанов, Г. В. Килесса, С. А. Зуев, Н. И. Слипченко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 22-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2012), 10-14 сент. 2012 г. - Севастополь : Вебер, 2012. - Т. 1. - С. 155-156.http://openarchive.nure.ua/handle/document/1534В работе представлены основные положения, на основе которых построена численная модель контакта металл-полупроводник для случая омического контакта. В результате проведенных вычислительных экспериментов получены вольтамперные характеристики кон- такта и распределения полей, свидетельствующие о достоверной работе модели.ruконтакт металл-полупроводникомический контактсубмикронные полупроводниковые приборыполевые транзисторы с затвором ШотткиConference proceedings