Спицын, А. И.Ванцан, В. М.2018-11-202018-11-201998Спицын А. И. К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники / Спицын А. И., Ванцан В. М. // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 1998. – Вып. 2. – С. 36-38.http://openarchive.nure.ua/handle/document/7303Проводится расчет численной меры проникновения постоянного электрического поля в полупроводники. Определяется и анализируется зависимость глубины проникновения электрического поля, где найдено наличие максимума. Для поликристаллического образца оценивается средняя разность потенциалов между соседними кристаллитами.ruполикристаллический образецглубина проникновения электрического поляArticle