Гордиенко, Ю. Е.Слипченко, Н. И.Таран, Е. П.2016-07-142016-07-142013Гордиенко, Ю. Е. Модель высокоинтенсивного локального воздействия СВЧ-излучения на полупроводниковые слоистые структуры / Ю. Е. Гордиенко, Н. И. Слипченко, Е. П. Таран // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 23-й Междунар. Крымской конф. (КрыМиКо'2013), 8-13 сент. 2013 г. - Севастополь : Вебер, 2013. - Т. 2. - С. 916-917.http://openarchive.nure.ua/handle/document/1533Предложена численная модель высоколокального воздействия СВЧ-излучения на полупровод-никовые структуры. Электродинамическая часть модели построена с использованием метода конечных разностей во временной области (FDTD) с адаптивной пространственной сеткой. При построении тепловой части использовался метод независимых тепловых потоков. Получены распределения электромагнитных и температурных полей в полупроводниковой структуре, которые позволяют определить характерные размеры локальных участков с повышенной температурой при воздействии высокоинтенсивных электромагнитных полей СВЧ-диапазона. The numerical model of local high-local influence of microwave radiation on semiconductor structures is presented. The electrodynamic part of the model is constructed with use of a method of FDTD with an adaptive spatial grid. At creation of thermal part the method of independent thermal streams was used. Distributions of electromagnetic and temperature fields in semiconductor structure which allow determining the characteristic sizes of local sites with increased temperature in semiconductor structures under the influence of electromagnetic fields of microwave range are obtained.ruСВЧ-излучениеполупроводниковые слоистые структурыэлектромагнитные поля СВЧ-диапазонаhigh-local influence of microwave radiationsemiconductor structureConference proceedings