Гусев, В. А.Капранов, И. Ю.2016-06-222016-06-222010Гусев, В. А. Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку / В. А. Гусев , И. Ю. Капранов // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : Изд-во ХНУРЭ, 2010. – Вып. 3. – С. 14-18.http://openarchive.nure.ua/handle/document/1113Проводится анализ работы биполярного транзисторного ключа при работе с индуктивной нагрузкой. Рассматривается эффект вторичного пробоя в структуре транзистора. Определяются опасные режимы выключения биполярного транзистора с указанием рекомендаций по выключению транзистора с индуктивной нагрузкой. Разрабатывается мaкет для проведения неразрушающей отбраковки транзисторов при работе на индуктивную нагрузку.ruбиполярный транзисторный ключиндуктивная нагрузкаArticle