Численная модель барьера Шоттки - Асанов, Э. Э.; Зуев, С. А.; Килесса, Г. В.; Слипченко, Н. И.; Старостенко, В. В. (ХНУРЭ, 2012)
В работе представлено описание численной модели выпрямляющего контакта металл - полупроводник. Для верификации разработанной модели был проведен ряд вычислительных экспериментов, в ходе которых получены результаты, в частности вольтамперная характеристика, свидетельствующие о достоверной работе модели. The paper presents a description of the numerical model of a rectifying metal-semiconductor contact. To verify the model developed a number of computing experiments have been conducted and results have been obtained, the current-voltage characteristic, in particular, which are evidence of the authentic operation of the model.
Keywords: контакт металл-полупроводник; барьер Шоттки; моделирование методом макрочастиц; metal-semiconductor contact; modeling by macroparticle method