Асанов, Э. Э.Зуев, С. А.Килесса, Г. В.Слипченко, Н. И.Старостенко, В. В.2016-06-162016-06-162012Численная модель барьера Шоттки / Э. Э. Асанов и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 378–383.http://openarchive.nure.ua/handle/document/1006В работе представлено описание численной модели выпрямляющего контакта металл - полупроводник. Для верификации разработанной модели был проведен ряд вычислительных экспериментов, в ходе которых получены результаты, в частности вольтамперная характеристика, свидетельствующие о достоверной работе модели. The paper presents a description of the numerical model of a rectifying metal-semiconductor contact. To verify the model developed a number of computing experiments have been conducted and results have been obtained, the current-voltage characteristic, in particular, which are evidence of the authentic operation of the model.ruконтакт металл-полупроводникбарьер Шотткимоделирование методом макрочастицmetal-semiconductor contactmodeling by macroparticle methodArticle