Кут, О. В.2020-05-122020-05-122019Кут О. В. Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу : атестаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / О. В. Кут; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. – Харків, 2019. - 73 с.http://openarchive.nure.ua/handle/document/11693Об’єкт дослідження – активний шар лазерного діоду – інжекційного напівпровідникового лазеру на основі квантової розмірної структури першого типу у вигляді двошарової надгратки на основі гетероструктури GaAs/AlXiGa1- XiAs. Мета роботи – дослідження частотного зсуву випромінювання ІНЛ на КРС під впливом зовнішнього електричногого поля. Метод дослідження – моделювання енергетичних станів частинок в активній області лазера на основі математичного апарату квантової механіки. У данній дипломній роботі проведено дослідження формування енергетичних станів частинок і квазічастинок у двошаровій квантовій розмірній структурі та їх модифікацію у зовнішньому електричному полі.ukлазерний діодквантова розмірна структураоптичне випромінюванняоптичне підсиленнянадграткамолярна часткаелектронзовнішнє полегетероперехідOther