Пащенко, А. Г.2021-11-282021-11-281997Пащенко А. Г. Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия / А. Г. Пащенко // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1997. – Вып. 101. – С. 81–90.https://openarchive.nure.ua/handle/document/18457В полупроводниковых инжекционных лазерах на основе гомо-, гетеро- и квантоворазмерных структур для создания активной области наряду с чистыми используются сильно легированные полупроводниковые материалы, с ярко выраженными донорными или акцепторными уровнями.ruрадиотехникалазерArticle