Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия - Пащенко, А. Г. (ХТУРЭ, 1997)
В полупроводниковых инжекционных лазерах на основе гомо-, гетеро- и квантоворазмерных структур для создания активной области наряду с чистыми используются сильно легированные полупроводниковые материалы, с ярко выраженными донорными или акцепторными уровнями.
Keywords: радиотехника; лазер