Сологуб, О. Ю.2018-07-172018-07-172010http://openarchive.nure.ua/handle/document/6588Целью работы является численное исследование зависимости края собственного поглощения полупроводниковых материалов А3В5 на примере GaAs от концентрации примесей. In this work presented a model for the calculation the spectral dependence of the intrinsic absorption edge of semiconductor solid solutions with a direct energy band structure at the example of GaAs. It can be used in mathematical models that describe the work of photoelectric converters.ruоптический спектрэнергетическая зонаConference proceedings