Слабый, К. Г.Пащенко, А. Г.2019-05-312019-05-312019Слабый К. Г. Энергонезависимая память с использованием квантовых точек в качестве структурного элемента / К. Г. Слабый, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : зб. тез. доп. ХХІІI Харків. конф. молодих науковців, 16–18 квіт. 2019 р. – Харків, 2019. – С. 97.http://openarchive.nure.ua/handle/document/9107This paper discusses the possibility of using quantum dots in information storage devices. An analysis of the mechanisms responsible for storing information in quantum-dimensional structures was performed. An embodiment of this technology was presented using the example of silicon quantum dots on the surface of a nitride. Some properties of quantum low-dimensional structures that can be useful in microelectronics are explained. This direction requires the creation of new complex mathematical models, but can be implemented on the basis of classical flash memory circuit design.ruЭнергонезависимая памятьструктурный элементArticle