Чернышов, Н. Н.Писаренко, В. М.Умяров, К. Т.Хансаа А. Гази2018-04-202018-04-202014Исследование динамических потерь на IGBT транзисторах при работе силовых каскадов на индукционную нагрузку / Н. Н. Чернышов, В. М. Писаренко, К. Т. Умяров, Хансаа А. Гази // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2014. – Т. 13, № 4 – С. 440–443.http://openarchive.nure.ua/handle/document/4844Научная статья посвящена анализу динамических потерь в импульсных преобразователях на IGBT транзисторах и исследованию влияния режимов работы резонансных преобразователей электрической энергии, расходуемой на потери. В ней учитывается возможность снижения динамических потерь на транзисторах и возможность использования устройства для восстановления гармонических сигналов посредством широтно-импульсной модуляции. Целью данной работы является развитие общей теории IGBT и MOSFET транзисторов в направлении физики процессов, происходящих в полупроводниковых приборах, и теоретическое исследование различных вариантов электронных схемruдинамические потериинверсные диодычастотная коммутациясиловой каскадИсследование динамических потерь на IGBT транзисторах при работе силовых каскадов на индукционную нагрузкуArticle