Галат, О. Б.Старжинський, М. Г.Гриньов, Б. В.Жуков, О. В.Зеня, І. М.Трубаєва, О. Г.Бендеберя, Г. М.Сліпченко, М. І.2018-07-232018-07-232014УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі Пат.105345 Україна МПК: H01L 31/06 Власник: Інститут сцинтілляційних матеріалів НАНУ.– №а201309899; заявл.09.08.2013; Опубл.25.04.2014.– 4с.http://openarchive.nure.ua/handle/document/6628Винахід належить до мікрофотоелектроніки, а саме до напівпрвідникових фотодіодів, чутливих в ультрафіолетовому (УФ) діапазоні спектра, і може бути використаний для вимірювання та контролю інтенсивності та накопичення дози УФ-випромінювання.ukУФ-діодбарьєр Шотткіселективна чутливістьPatent