Быков, М. А.Слипченко, Н. И.Зуев, С. А.Герчио, И. Ю.2025-01-072025-01-072009Оптимизация оптоэлектронных характеристик гетероструктур на основе аморфного и кристаллического кремния / М. А. Быков, Н. И. Слипченко, С. А. Зуев, И. Ю. Герчио // Электронная компонентная база. Состояние и перспективы развития : материалы 2-ой Междунар. научн. конф., 30 сентября-3 октября 2009 г. – Харьков-Кацивели : ХНУРЭ, 2009 г. – С. 38–42.https://openarchive.nure.ua/handle/document/29564In the given work are lead researches of various physical processes in geterostmctures for the further improvement optoelectronics parameters. Researches of temperature, spectral, structural, electrophysical dependences thin films of amorphous silicon were made. The physical and mathematical model and a technique of numerical researches photocarriers current in thin films of amorphous hydrogenised silicon is described. Calculations of photocurrent dependence from film thickness are presentedotherкристаллический кремнийоптоэлектронные характеристикиConference proceedings