Пятайкина, М. И.Гордиенко, Ю. Е.Полищук, А. В.2019-05-312019-05-312015Гордиенко Ю. Е. СВЧ высоколокальный сканирующий разогрев в технологии микро- и наноэлектроники / Ю. Е. Гордиенко, М. И. Пятайкина, А. В. Полищук // Физическая инженерия поверхности. – 2015. – т. 13, №2. – С. 209-217.http://openarchive.nure.ua/handle/document/9075В статье представлены результаты численного исследования высоколокального СВЧ разогрева тонких пленок полупроводников и диэлектриков на высокоомной подложке кремния. Сравнение с ранее опубликованными нами результатами исследования разогрева кремниевых подложек показывает, что в связи с высокой теплопроводностью кремния влияние подложки на величину температуры разогреваемой пленки будет существенным при уменьшении толщины пленки. Влияние диэлектрической проницаемости пленки также имеет место и связано с изменением СВЧ тепловыделения в ней. С учетом зависимости локализации СВЧ поля от радиуса сферического острия процесс тепловыделения можно локализовать только в пленке, а величиной локального разогрева подложки управлять выбранной толщиной пленки. Это позволит раздельно формировать локальный разогрев пленки и подложки.ruвысоколокальный СВЧ нагревмодификациятонкопленочная структураСВЧ микромодификатортемпературная зависимостьArticle