Николаенко, В. А.Пащенко, А. Г.Бессмольный, Я. Ю.2018-03-202018-03-202017Инфракрасный приемник на переходах электронов в автолокализованное состояние над гелиевой пленкой на структурированной подложке / В. А. Николаенко, А. Г. Пащенко, Я. Ю. Бессмольный // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2017. – Вып. 190. – С. 50 – 59.http://openarchive.nure.ua/handle/document/4356Для построения ИК приемника предложено использовать стимулированный излучением пороговый переход из состояния поверхностного электрона (ПЭ) в состояние поверхностного аниона (ПА) над гелиевой пленкой в порах структурированной подложки. Переход зависит от толщины пленки, электрического поля и плотности паровой фазы. Подвижности электронов при переходе ПЭ/ПА соответствует теоретическому рассмотрению. Электростатическая модель цилиндрической поры в продольном поле демонстрирует преимущественную локализацию электронов над пленкой внутри поры. ИК изображение определится эквипотенциальным рельефом подложки, наведенным контрастом проводимости электронов в порах. Диапазон частот и чувствительность приемника определятся термочувствительностью к излучению стенок пор и рабочей температурой, достигая квантового предела. Конструкция и работа ИК приемника приведены.ruгелиевая пленкаинфракрасный приемникструктурированная подложкаArticle