Яцун, К. С.Пащенко, А. Г.2019-05-192019-05-192018Яцун К. С. Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду / К. С. Яцун, А. Г. Пащенко // Радіоелектроніка та молодь у ХХІІ столітті : зб. тез. доп. ХХI Харків. конф. молодих науковців, 17–19 квіт. 2018 р. – Харків, 2018. – С. 33.http://openarchive.nure.ua/handle/document/8814This design explains the principles of modifying the active region of a resonance-tunnel diode by changing the height of potential barriers and the width of a quantum well.ukрезонансно-тунельний діодArticle