Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2 - Слипченко, Н. И.; Письменецкий, В. А.; Герасименко, Н. В.; Антонова, В. А.; Костышин, Я. Я. (ХНУРЭ, 2012)
In this paper we experimentally investigated the technology formation of In2O3/SnO2 thin films. The influence of physical and technological factors on the optical and electrical characteristics were analyzed. Shown the expediency of the application of films In2O3/SnO2 in the high-efficiency solar cells. В различных современных оптоэлектронных приборах в качестве проводящих электродов используются пленки широкозонных вырожденных полупроводников. Такие пленки должны сочетать высокий коэффициент пропускания (Т ≥ 86%) в спектральных условиях, соответствующих солнечному излучению, и минимальное поверхностное сопротивление (Ri <12 Ом / кв)
Keywords: наноэлектроника; оптоэлектроника