Слипченко, Н. И.Письменецкий, В. А.Герасименко, Н. В.Антонова, В. А.Костышин, Я. Я.2016-08-022016-08-022012Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2. / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, Н. В. Герасименко и др. // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., 30 сент. – 5 окт. 2012 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2012. – С. 321–324.http://openarchive.nure.ua/handle/document/1709In this paper we experimentally investigated the technology formation of In2O3/SnO2 thin films. The influence of physical and technological factors on the optical and electrical characteristics were analyzed. Shown the expediency of the application of films In2O3/SnO2 in the high-efficiency solar cells. В различных современных оптоэлектронных приборах в качестве проводящих электродов используются пленки широкозонных вырожденных полупроводников. Такие пленки должны сочетать высокий коэффициент пропускания (Т ≥ 86%) в спектральных условиях, соответствующих солнечному излучению, и минимальное поверхностное сопротивление (Ri <12 Ом / кв)ruнаноэлектроникаоптоэлектроникаИследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2Conference proceedings