Костылев, В. П.Слусар, Т. В.Суший, А. В.Черненко, В. В.2016-05-312016-05-312012Об улучшении чувствительности кремниевых фотосенсоров / В. П. Костылев, Т. В. Слусар и др. // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2012. – Т. 11, № 3. – С. 440–441.http://openarchive.nure.ua/handle/document/533В работе исследованы возможности улучшения характеристик кремниевых фотосенсоров классической конструкции. Экспериментально установлено, что тонкий поверхностный слой сильнолегированного эмиттера в таких сенсорах имеет нарушенную структуру с высоким уровнем рекомбинационных потерь. В результате этого фотосенсоры имеют большие величины обратных темновых токов, низкую коротковолновую чувствительность, недостаточно высокие значения фотоэлектрических параметров. Показано, что удаление нарушенного слоя посредством применения циклов cтравливания-выращивания слоя окисла на поверхности эмиттера в процессе изготовления фотосенсоров является эффективным методом уменьшения рекомбинационных потерь и позволяет существенно повысить их коротковолновую и пороговую чувствительность. The possibilities of improving of classic design silicon photosensor characteristics are investigated in the paper. It is shown that the effective method to reduce recombination losses and increase threshold sensitivity is using cycles of etching-growing of the oxide layer from the emitter surface during the production of photosensors, which allows to substantially increase short-wavelength photo sensitivity and operation efficiency.ruфотосенсорфоточувствительностьрекомбинационные потериспектральная характеристикаобратный темновой токphotosensorphotosensitivityrecombination lossesArticle