Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2
Немає доступних мініатюр
Дата
2012
Автори
Слипченко, Н. И.
Письменецкий, В. А.
Герасименко, Н. В.
Антонова, В. А.
Костышин, Я. Я.
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЭ
Анотація
In this paper we experimentally investigated the technology formation of In2O3/SnO2 thin films. The influence of physical and technological factors on the optical and electrical characteristics were analyzed. Shown the expediency of the application of films In2O3/SnO2 in the high-efficiency solar cells. В различных современных оптоэлектронных приборах в качестве проводящих электродов используются пленки широкозонных вырожденных полупроводников. Такие пленки должны сочетать высокий коэффициент пропускания (Т ≥ 86%) в спектральных условиях, соответствующих солнечному излучению, и минимальное поверхностное сопротивление (Ri <12 Ом / кв)
Опис
Ключові слова
наноэлектроника, оптоэлектроника
Цитування
Иследование оптических и электрических параметров тонких пленок In2O3/SnO2. / Н. И. Слипченко, В. А. Письменецкий, Н. В. Герасименко и др. // Функциональная база наноэлектроники : сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., 30 сент. – 5 окт. 2012 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2012. – С. 321–324.