Дослідження напівпровідників за допомогою терагерцевої спектроскопії методом «накачування–зонд»
Завантаження...
Дата
2021
Автори
Вакула, М. Б.
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЕ
Анотація
The principle of operation of terahertz spectroscopy for monitoring the
properties of chromium-alloyed gallium arsenide (GaAs: Cr) was considered in
this work. The diagram of the terahertz spectroscopy apparatus is presented and
described. The scientific novelty of the work lies in the use of a new method for
studying the relaxation mechanisms of charge carriers, including the
determination of the parameters of defects (traps), such as the capture cross
sections, concentration, and energy positions in semiconductors with different
structures.
Опис
Ключові слова
Цитування
Вакула М. Б. Дослідження напівпровідників за допомогою терагерцевої спектроскопії методом «накачування–зонд» / М. Б. Вакула, науковий керівник – доцент Глухов О. В. // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : матеріали 25-го Міжнар. молодіжн. форуму, 20-22 квітня 2021 р. – Харків : ХНУРЕ, 2021. – Т. 1. – С. 33–34.